點擊圖片查看原圖主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。
二、工作方式
本機采用版—版對準雙面同時曝光
三、主要構成
主要由高精度特制的翻版機構、雙視場CCD顯微顯示系統、二臺多點光源式曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、防震工作臺等組成。
四、主要功能特點
1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片的對準曝光。
2.結構先進
該機為雙面接觸式光刻機，特制的翻版機構，能消除基片楔形誤差，保障上、下二塊掩膜版對基片上、下兩面良好的接觸，從而保障基片上、下兩面的曝光質量。
3.操作簡便
采用手動方式；特制的翻版機構
4.可靠性高
采用進口電磁閥、按鈕、定時器；真空管路系統和精密的零件加工，使本機具有非常高的可靠性。
五、主要技術指標
1、曝光類型：單面對準雙面曝光
2、曝光面積：≥φ100mm
3、曝光不均勻性：≤±4%
4、曝光強度：≥5mw/cm2
5、曝光分辨率：≤2μm
6、曝光模式：雙面同時曝光
7、對準精度：上版與下版的對準精度≤5μm
8、對準范圍：X:±5mm Y:±5mm
9、旋轉范圍：Q向旋轉調節≥±5°
10、顯微系統：雙視場CCD系統，物鏡0.7X～4.5X，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器；
11、掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″
12、基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
13、基片厚度：≤5 mm
14、曝光燈功率：直流2×350W
15、曝光定時：0～999.9秒可調
16、電源：單相AC 220V 50Hz功耗≤1kW
17、潔凈壓縮空氣壓力：≥0.4Mpa
18、真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa
19、尺寸：900×700×1500 (L×W×H)mm；
20、重量：～150kg
