為了可持續地制造出具有納米級精度和正確結構的芯片，晶圓廠設備制造商需要突破等離子體物理、材料工程和數據科學的界限，提供所需的設備解決方案。這一點在等離子體蝕刻中較為明顯，等離子體蝕刻與光刻技術攜手合作，在晶圓上創造出精確、可重復的特征。
蝕刻工藝與光刻技術協同工作。蝕刻通常在沉積薄膜之前。通常，CVD薄膜涂有光刻膠，然后使用光學光刻通過圖案化掩模版（掩模）曝光。抵抗發展然后揭示模式。在單晶片等離子體蝕刻室中，通常蝕刻化學物質和離子轟擊并去除光致抗蝕劑缺失的CVD膜（在正色調抗蝕劑中）。蝕刻后，抗蝕劑灰化、濕式化學清洗和/或濕式蝕刻去除殘留物。
等離子體蝕刻工藝可以大致分為電介質、硅或導體蝕刻。二氧化硅和氮化硅等電介質使用氟化氣體蝕刻，而硅和金屬層與氯化學反應好。基本上有三種干法蝕刻模式——反應離子蝕刻、等離子體蝕刻和濺射蝕刻（離子束）。蝕刻工藝都是關于化學反應物、等離子體和晶片材料之間的復雜相互作用。當RF偏壓施加到反應性氣體時，電子和帶正電的離子轟擊晶片以物理地去除（蝕刻）材料，而化學物質和自由基與暴露的材料反應以形成揮發性副產物。蝕刻可以是各向同性（垂直和水平反應相等）、各向異性（僅垂直）或介于兩者之間。從finFET到GAA的轉變驅動了關鍵的各向同性選擇性蝕刻要求。
蝕刻工程師關心的指標是蝕刻速率、輪廓控制、均勻性（整個晶片）和蝕刻選擇性，因為這些都會影響產量和生產率。蝕刻選擇性只是要蝕刻的材料相對于其底層的去除率，例如硅上的SiO2。在蝕刻期間，不去除過多的光致抗蝕劑也是有利的。但在這種情況下，通常在將圖案轉移到下面的膜之前，將其轉移到硬掩模（二氧化硅、氮化硅、SiOC、TiN）。選擇性規格從2:1到1000:1不等（高度選擇性蝕刻）。隨著每個新節點的出現，這些規范變得更加嚴格。隨著高NA EUV在未來四年內開始取代常規EUV，焦點要低得多，所以不能再暴露厚的光刻膠，但仍然需要在下面對相同的膜厚度進行構圖。
對于許多工具制造商來說，棘手的步驟的蝕刻工藝優化可能需要一年或更長時間才能完成，工藝建模在蝕刻工藝開發中起著關鍵作用。能幫助工具制造商縮短上市時間，同時降低晶圓和掩模成本。