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亥姆霍茲均勻磁場磁場線圈，大學實驗室磁學研究磁場發生器， 磁場發生器采用亥母霍茲線圈立式結構、屬于工頻暴露磁場裝置，裝置分為電壓調壓器和霍姆赫茲線圈2部分。線圈分上下2層，上層為暴露線圈，下層為偽暴露線圈。通電后線圈內部產生均勻的弱磁場。線圈自然冷卻式結構，具有視野開闊、外形美觀、結構可靠、磁場強度大小調節方便等特點。配有樣品支架，方便用戶放實驗樣品。廣泛用于實驗室生物細胞試驗。
1.均勻磁場上限50Gs，均勻區直徑60mm，均勻度1%；
2.線圈內徑在120-150mm；
3.帶拆卸支架，可在水平和垂直方向進行均勻磁化；
4.提供線圈常數（包括繞線直徑、線圈內外徑、線圈匝數，線圈電阻等）；
5.磁場校驗數據表，磁場對應電流關系式；
6.電源是可調直流穩壓電源
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磁場發生器磁場參數表（僅供參考） |
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電流（A） |
磁場 （ GS） |
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0.5A |
10.5 |
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1A |
21.2 |
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1.5A |
32.1 |
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2.0A |
42.6 |
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2.5A |
53.2 |
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3.0A |
62.5 |
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備注 |
為中心點磁場 |
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外徑250mm,內孔130*70mm間距：190重量8kg |
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